デバイスプロセス

Semiconductor Device and Process Technology

9981317

81ELELD302

谷口　淳

Jun Taniguchi

2025年度後期

2025年度

②Second semester

木曜3限

Thursday, 3rd Period

先進工学部　電子システム工学科

Department of Applied Electronics, Faculty of Advanced Engineering

2.0単位

講義

Lecture

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① [対面]対面授業/ [On-site] On-site class

トランジスタ（特にＭＯＳＦＥＴ）のデバイス物理とプロセス技術の基本知識を修得することを目的とする。工学の全般に関する幅広い分野の専門知識に加え、論理思考力・数量的スキル・情報処理能力が高まり、エレクトロニクスを中核とした深い専門知識を身に付けられる科目である。エレクトロニクス分野への就職あるいは進学を考えている場合は履修することを勧める。

最も産業的に成功した凝縮系電子デバイスであるＭＯＳＦＥＴのデバイス物理とプロセス技術を基本から理解することにより、工学の全般に関する幅広い分野の専門知識への深い理解力、論理思考力・数量的スキル・情報処理能力を高め、エレクトロニクスを中核とした深い専門知識を身に付けることを目的とする。

本学科のディプロマポリシー
「専門分野に捉われない幅広い基礎学力」
に該当する科目である。

ＭＯＳＦＥＴ動作の理解および、微細化手法である半導体製造工程の基礎を学ぶことにより、新たなエレクトロニクス分野への対応能力を涵養することを目標とする。

リンク先の [評価項目と科目の対応一覧]から確認できます（学部対象）。
履修登録の際に参照ください。
​You can check this from “Correspondence table between grading items and subjects” by following the link(for departments).
https://www.tus.ac.jp/fd/ict_tusrubric/​​​

エレクトロニクス基礎、電子デバイスなどの復習をしておくこと。

課題に対する作文　Essay／小テストの実施　Quiz type test

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準備学習：毎回の授業前に該当する章を読んで１時間程度予習して下さい。
復習：授業で扱った章の章末問題、レポート課題などを解いてください。（１時間程度）

到達度評価６０％
レポート２０％
講義中での口頭および講義後のメールを通じての質問・議論を含む学習態度２０％

・S：到達目標を十分に達成し、極めて優秀な成果を収めている
・A：到達目標を十分に達成している
・B：到達目標を達成している
・C：到達目標を最低限達成している
・D：到達目標を達成していない
・-：学修成果の評価を判断する要件を欠格している

・S：Achieved outcomes, excellent result
・A：Achieved outcomes, good result
・B：Achieved outcomes
・C：Minimally achieved outcomes
・D：Did not achieve outcomes
・-：Failed to meet even the minimal requirements for evaluation

Y

集積回路工学・安永守利・森北出版・2016年・978-4-627-77571-8

教科書および一部の参考書は、MyKiTS (教科書販売サイト) から検索・購入可能です。
​https://gomykits.kinokuniya.co.jp/tokyorika/​​​

It is possible to search for and purchase textbooks and certain reference materials at MyKiTS (online textbook store).
​​https://gomykits.kinokuniya.co.jp/tokyorika/

すべての履修学生に対して、半数以上の授業回を対面で受講することを求める

1 LSIの発展経緯と現状について理解する。
　LSIの発展と現状について説明できるようになる。
2 半導体とトランジスタについて理解する。
　pn接合とダイオード、MOSトランジスタについて説明できるようになる。
3 トランジスタによる論理回路について理解する。
　MOSトランジスタによる論理回路について説明できるようになる。
4 CMOS論理ゲート間の動作解析モデルについて理解する。
　CMOS論理ゲート間の動作解析モデルについて説明できるようになる。
5 スケーリング則について理解する。
　スケーリング則について説明できるようになる。
6 ディジタルシステムの記憶回路について理解する。
ディジタルシステムの記憶回路について説明できるようになる。
7 メモリ集積回路について理解する。
メモリ集積回路について説明できるようになる。
8 デバイスプロセス全体の流れを理解する。
デバイスプロセスの前工程の流れを把握し、説明できるようになる。
9 露光の原理を理解する。
露光（リソグラフィ）の基本原理と解像度について説明できるようになる。
10 露光における解像度と焦点深度の関係を理解する。
　 露光における解像度と焦点深度の関係を説明できるようになる。
11 エッチング技術について理解する。
反応性イオンエッチング(RIE)を中心とした微細加工技術について説明できるようになる。
12 平坦化と多層配線技術について理解する。
　平坦化と多層配線技術について説明できるようになる。
13 CMOS集積回路の作製方法を理解する。
CMOS集積回路の作製方法を説明できるようになる。　 　　
14 最新LSIデバイスプロセスの動向を理解する。
　 最新LSIデバイスプロセスの動向を説明できるようになる。
15 目標の達成度を評価する試験を行い、授業による問題解説により理解度を深める。

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