電子システム工学特別実験１Ａ

科目授業名称（和文）　Name of the subject/class (in Japanese)

電子システム工学特別実験１Ａ

科目授業名称（英文）　Name of the subject/class (in English)

Advanced in Electronics SystemExperiments 1A

授業コード　Class code

998B755

科目番号　Course number

81GRRES502

教員名

藤代　博記

Instructor

Hiroki Fujishiro

開講年度学期

2023年度前期

Year/Semester

2023 First Semester

曜日時限

集中講義

Class hours

Intensive Course

開講学科・専攻　Department

先進工学研究科　電子システム工学専攻

Department of Applied Electronics, Graduate School of Advanced Engineering

単位数　Course credit

2.0単位

授業の方法　Teaching method

卒研

Graduation research

外国語のみの科目（使用言語）　Course in only foreign languages (languages)

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授業の主な実施形態　Main class format

「対面授業 /On-site class」。
新型コロナの感染状況により、ブレンド型授業/Blended formatに移行する。　　

概要　Description

学部において身に付けた学力をもとに、それぞれの研究テーマについて、研究室の指導教員のもとで、研究を行う。社会に出て役に立つ。

Based on the academic ability acquired in the undergraduate level, research is conducted under the research supervisor of the laboratory about each research theme. It is useful after going into society.

目的　Objectives

本専攻のディプロマポリシー「高度な専門知識・研究能力および教養をもとに、多様な専門性を要求される業務において、自ら情報収集・分析し、課題発見・設定、解決する能力」に該当する科目である。

This class corresponds to the Diploma Policy “We can solve a problem with a judgment made by gathering and analyzing information for various tasks based on expert knowledge, research ability and accomplishment.”

到達目標　Outcomes

それぞれの研究テーマについて、研究室の指導教員のもとで、研究を行う。
研究を通じて、課題形成能力、解決能力を身につける。　

Research will be conducted under the research supervisor of the laboratory about each research theme. Acquire the task formation ability and the solution ability through research.

卒業認定・学位授与の方針との関係（学部科目のみ）

履修上の注意　Course notes prerequisites

適宜、指示する。

Instruct as appropriate.

アクティブ・ラーニング科目　Teaching type（Active Learning）

ディベート・ディスカッション　Debate/Discussion／グループワーク　Group work／プレゼンテーション　Presentation／PBL (課題解決型学習)　Problem-based learning／実験　Experiments／実習　Practical learning／-

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準備学習・復習　Preparation and review

修士課程の研究はまだ答えが明らかになっていない課題に対して答えを見つけ出す練習です。課題形成、解決策の策定、実行、結果のフィードバックの各過程において、自らの考えで積極的に取り組むことが重要です。　

The research in the master's program is the practice of finding out answers to tasks for which the answers have not yet been clarified. In each process of problem formation, solution formulation, implementation, and result feedback, it is important to work actively with your own ideas.

成績評価方法　Performance grading policy

平常点（研究への取り組み姿勢等）と共に、学会発表、論文発表等の学外活動を総合的に評価する。

As well as the regular points (attitude toward research, etc.), comprehensively evaluate extracurricular activities such as conference presentations and dissertation presentations.

学修成果の評価　Evaluation of academic achievement

・S：到達目標を十分に達成し、極めて優秀な成果を収めている
・A：到達目標を十分に達成している
・B：到達目標を達成している
・C：到達目標を最低限達成している
・D：到達目標を達成していない
・-：学修成果の評価を判断する要件を欠格している

・S：Achieved outcomes, excellent result
・A：Achieved outcomes, good result
・B：Achieved outcomes
・C：Minimally achieved outcomes
・D：Did not achieve outcomes
・-：Failed to meet even the minimal requirements for evaluation

教科書　Textbooks/Readings

教科書の使用有無（有=Y , 無=N）　Textbook used(Y for yes, N for no)

N

書誌情報　Bibliographic information

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MyKiTSのURL（教科書販売サイト）　URL for MyKiTS(textbook sales site)

教科書および一部の参考書は、MyKiTS (教科書販売サイト) から検索・購入可能です。
It is possible to search for and purchase textbooks and certain reference materials at MyKiTS (online textbook store).
https://gomykits.kinokuniya.co.jp/tokyorika/

参考書・その他資料　Reference and other materials

適宜、指示する。

Instruct as appropriate.

授業計画　Class plan

下記のテーマの研究に取り組み、その成果を学会や論文に発表する。

１．ナノサイズの電子デバイスの特性を解析するための量子補正モンテカルロシミュレータ、マルチサブバンドモンテカルロシミュレータの開発
２．ナノデバイスシミュレータを仮想デバイスモデルとして用いて非線形回路の特性をシミュレーションする物理デバイス回路統合シミュレータの開発
３．ナノデバイスシミュレータを用いたポストSiCMOSデバイス，高出力GaNデバイス，ミリ波InSb・InAsデバイス，高誘電体多値デバイス等，次世代情報処理・通信デバイスの構造設計と特性解析
４．分子線エピタキシー(MBE)法を用いたSi，GaAs基板上のInSb系ヘテロ構造の薄膜成長と特性評価
５．次世代ミリ波通信デバイス開発のためのInSb系へテロ構造トランジスタの作製と評価
６．長波長LEDの作製と評価
７．走査型電子顕微鏡(STM)を用いたナノ構造の作製制御の研究
８．走査型電子顕微鏡(STM)を用いたInSb等の薄膜成長の初期過程の研究　　
９．量子ドットレーザの作製と評価　
10．第一原理バンド構造計算

Work on research on the following subjects, and present the results in academic meetings and papers.
1. Development of a quantum-corrected and multi-subband Monte Carlo simulators to analyze the characteristics of nano-scale electronic devices
2. Development of a physical device circuit integrated simulator that simulates the characteristics of nonlinear circuits using a nanodevice simulator as a virtual device model
3. Structural design and analysis of next-generation information processing and communication devices such as post-Si-CMOS devices, high-power GaN devices, millimeter-wave InSb / InAs devices, high dielectric multi-valued devices using nano-device simulators
4. Thin film growth and characterization of InSb-based heterostructures on Si, GaAs substrates using molecular beam epitaxy (MBE) method
5. Fabrication and evaluation of InSb-based heterostructure transistors for the development of next-generation millimeter wave communication devices
6. Fabrication and evaluation of long wavelength LED
7. Fabrication control of nanostructure using scanning tunneling microscope (STM)
8. Clarification of the initial process of thin film growth of InSb etc. using scanning tenneling microscope (STM)
9. Fabrication and evaluation of quantum dot lasers
10. First principles band structure calculation

授業担当者の実務経験　Work experience of the instructor of the class

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教育用ソフトウェア　Educational software

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備考　Remarks

シラバス情報